Оперативная память

В качестве элементов оперативной памяти используют ячейки, представляющие собой конденсаторы. Заряженный конденсатор хранит значение "1" , разряженный — "0" . Во время считывания информации конденсаторы разряжаются. Кроме того, заряд в конденсаторе из-за утечки хранится ограниченное время (несколько миллисекунд). Поэтому необходима подзарядка, которая выполняется в процессе регенерации информации. Это обстоятельство обусловило название памяти подобного типа — динамическая, или DRAM ( Dynamic RAM ). Малые размеры и простота элементов DRAM позволяют получить довольно большую емкость памяти, но из-за затрат времени на регенерацию снижается быстродействие.
С целью повышения быстродействия DRAM разработано несколько модификаций этого типа памяти. Синхронная память типа SDRAM ( Synchronous DRAM ) отличается от асинхронной памяти тем, что такты работы памяти синхронизированы с тактами работы процессора. Это позволяет исключить циклы ожидания, имеющие место в DRAM.
В памяти типа DDR SDRAM ( Double Date Rate SDRAM ) быстродействие удалось увеличить вдвое по сравнению с предыдущими типами DRAM за счет того, что обращения к памяти происходят дважды за один такт — как по переднему, так и по заднему фронту тактовых сигналов.
В более быстрой статической памяти SRAM ( Static RAM ) элементами памяти являются бистабильные ячейки: при считывании с них информация не теряется, поэтому регенерации не требуется. Соответственно, SRAM — более быстродействующая память, которая используется в качестве кэш-памяти, но и существенно более дорогая, чем DRAM.

‹ Внешняя память
Вверх
Память ROM ›

Добавить комментарий

Adblock
detector