BEDO и SDRAM

BEDO (Burst EDO) разработана фирмой Micron Technology как попытка еще увеличить скорость памяти. Будучи разработанной, эта технология так и не вошла в широкое применение, так как SDRAM "круче". FPM, EDO и BEDO не рассчитаны на скорость шины более 66MHz. На настоящий момент это не так критично для большинства материнских плат, однако в ближайшем будущем ситуация должна измениться в связи с использованием больших скоростей шины. Так что в настоящее время модули BEDO применяются в основном для кеширования видеопамяти в профессиональных графических системах.
SDRAM (Synchronous DRAM) — наиболее перспективный из представленных на рынке типов памяти. Все операции в SDRAM синхронизированы с внешней частотой системы. Это позволяет отказаться от необходимости использования аналоговых сигналов RAS и CAS, требуемых для асинхронной DRAM, что увеличивает производительность. В перспективе, технология SDRAM позволит использование частоты шины до 125MHz. Это очень важно для общей производительности системы, так как частота шины ввода/вывода — узкое место для большинства компьютеров, ограничивающее функции современных систем.

‹ Особенности чипов
Вверх
FPM и EDO ›

Айтистанция
Добавить комментарий