Сейчас на сайте
Сейчас на сайте 0 пользователей и 0 гостей.

Оперативная память RDRAM

     Микросхемы RDRAM (Rambus DRAM) увеличивают пропускную способность памяти: в них предусмотрена "удвоенная" (16-разрядная) шина передачи данных, частота увеличена до 800 МГц, а пропускная способность равна 1,6 Гбайт/с. Для повышения производительности можно использовать двух- и четырехканальные RDRAM, которые позволяют увеличить скорость передачи данных до 3,2 или 6,4 Гбайт/с соответственно. Двухканальная память РС800 RDRAM является наиболее быстрым типом памяти (ненамного опережая РС2100 DDR SDRAM). Поддерживает ли системная плата двухканальную память RDRAM, определяется в первую очередь используемым набором микросхем системной логики, к которым относятся, например, Intel 840 и 850.

     Один канал памяти Rambus может поддерживать до 32 отдельных устройств RDRAM (микросхем RDRAM), которые устанавливаются в модули RIMM (Rambus Inline Memory Modules)). Вся работа с памятью организуется между контроллером памяти и отдельным (а не всеми) устройством. Каждые 10нс (100МГц) одна микросхема RDRAM может передавать 16 байт. RDRAM работает быстрее SDRAM приблизительно в три раза.